哈默納科自動(dòng)化半導(dǎo)體諧波傳動(dòng)SHF-32-100-2UH導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電:

而本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電的

特殊性質(zhì)。

本征半導(dǎo)體中載流子的濃度

   半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴對(duì)的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。自由電子在運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。在一定的溫度下，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對(duì)。與復(fù)合的自由電子與空穴對(duì)數(shù)目相等哈默納科自動(dòng)化半導(dǎo)體諧波傳動(dòng)SHF-32-100-2UH，故達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。換言之，在一定溫度下，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多，即載流子的濃度升高，因而必然使得導(dǎo)電性能增強(qiáng);反之，若環(huán)境溫度降低，則載流子的濃度降低，因而導(dǎo)電性能變差，可見(jiàn)，本征半導(dǎo)體載流子的濃度是環(huán)境溫度的函數(shù)。理    通過(guò)擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻人少t合適的雜質(zhì)元素，便可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。按摻入的雜質(zhì)元素不同，可形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體;控制摻人雜質(zhì)元素的濃度，就可控制雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。